Tdp

Risultati 21 - 30 di 43
Filtra per:   Tutti (43)   Appunti (19)   Tesine (5)   
Ordina per:   Data ↑   Nome   Download   Voto   Dimensione ↑   
Download: 219Cat: Tdp    Materie: Appunti    Dim: 134 kb    Pag: 10    Data: 30.06.2005

funzionamento ( TECNOLOGIA, TOPOLOGIA, TRASMISSIONE E INDIRIZZAMENTO) (pag 4-8)
• Azienda Konnex (pag 8)
• Cenni sul sofware dell’impianto EIB (pag 8-10)
• Note sul corso EIB svolto e sull’ importanza dell’attestato (pag 10 )

Istallazione elettrica “tradizionale”:
Nel

Download: 360Cat: Tdp    Materie: Altro    Dim: 32 kb    Pag: 2    Data: 19.04.2006

Una volta creata la basetta siamo passati alla foratura di essa, in corrispondenza delle piazzole, tramite un trapano dopo di che abbiamo preso i componenti necessari, elencati in precedenza,e con molta attenzione li abbiamo saldati, con dello stagno alla basetta.
Finito di saldare i componenti abbiamo tes

Download: 103Cat: Tdp    Materie: Appunti    Dim: 4 kb    Pag: 2    Data: 08.02.2006

alla fase (prima che fosse interrotta dai deviatori) e poi al neutro; risultano quindi collegate in parallelo.
Il deviatore è costituito da un primario e due secondari. Questo impianto è composto da due punti di comando, perciò sono necessari due deviatori. La fase entrerà nel primario del primo deviatore, si collegheranno poi i due secondari tra l

Download: 169Cat: Tdp    Materie: Tesina    Dim: 29 kb    Pag: 5    Data: 07.02.2006

Le fotoresistenze
L'elemento che rileva la luminosità è in questo caso una fotoresistenza:
una fotoresistenza
si tratta di una resistenza particolare, il cui valore cambia sensibilmente in funzione della luce che la investe. A seconda del tipo, una fotoresistenza può misurare ad esempio circa 1 megaohm al buio e solo poche decine di kilo-oh

Download: 267Cat: Tdp    Materie: Appunti    Dim: 25 kb    Pag: 5    Data: 04.07.2007

Per poter essere utilizzati in campo elettronico i materiali semiconduttori devono comunque presentare un elevatissimo grado di purezza e una perfetta regolarità del reticolo cristallino, in quanto eventuali impurezze ed imperfezioni reticolari incidono fortemente sui parametri del materiale, quali la mobilità e il tempo di vita medio dei portatori di c

Download: 198Cat: Tdp    Materie: Appunti    Dim: 24 kb    Pag: 3    Data: 04.07.2007

Nel loro spostamento per diffusione, elettroni e lacune tendono a ricombinarsi: nella zona a cavallo della giunzione non vi sono quindi elettroni e lacune liberi. Viene così a crearsi una zona priva di portatori mobili, che prende il nome di zona di svuotamento, o depletion region: in essa troviamo solamente ioni positivi, nella parte di semiconduttore

Download: 538Cat: Tdp    Materie: Altro    Dim: 1 mb    Pag: 6    Data: 12.02.2010

Componenti del circuito…..…………………………………………………………………………………………… p.10
-74LS244
-Fotodiodo
Interfacciamento con il computer…………………………………………………………………………….. p.11
-Porta parallela
- Il software applicativo: Netriac
Materiale usato………………….………………………………………………………………………………………….. p.13
Lettera per la richiesta del catalogo.………………………

Download: 137Cat: Tdp    Materie: Altro    Dim: 788 kb    Pag: 4    Data: 10.02.2010

Questo circuito può essere usato per automatizzare l'accensione delle luci in un giardino; tuttavia la presenza del relè ci permette di adattare il circuito alla risoluzione di diversi problemi: il carico può essere un motore, un altoparlante, una lampada ad incandescenza o al neon. Il sensore di luminosità, invece, può essere sostituito con un trasdutt

Download: 243Cat: Tdp    Materie: Appunti    Dim: 18 kb    Pag: 2    Data: 02.07.2007

Da semiconduttori intrinseci si ottengono semiconduttori di tipo n aggiungendo ad essi impurità di elementi pentavalenti (cinque elettroni di valenza), come il fosforo (P), l’arsenico (As), l’antimonio (Sb). Gli atomi di tali impurità sono così detti atomi donatori, in quanto donano elettroni. Quattro degli elettroni esterni di un atomo donatore nel cri

Download: 545Cat: Tdp    Materie: Appunti    Dim: 33 kb    Pag: 3    Data: 02.07.2007

Possiamo affermare, quindi, che nel processo di drogaggio per diffusione vi è la migrazione all’interno del semiconduttore di atomi droganti che ovviamente per differenza di concentrazione si spostano da zone dove sono presenti in concentrazione elevata a zone dove sono presenti in bassa concentrazione.
Vi sono due tipologie di diffusione termi