Rilievo Caratteristiche BJT

Materie:Appunti
Categoria:Elettronica
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Testo

RILIEVO DELLE CARATTERISTICHE DEL BJT
OBIETTIVI:
Questa esperienza si pone come obiettivo di rilevare le caratteristiche di un transistor di tipo BJT tramite i valori ricavati dalle misurazioni effettuate sul circuito in dotazione. I valori di misura verranno impostati in tabelle dalle quali si ricaveranno i grafici delle caratteristiche del BJT dalle quali si potranno rilevare le particolarità del componente posto in esame.
MATERIALE E STRUMENTI UTILIZZATI: CARATTERISTICHE STRUMENTI UTILIZZATI:
Voltmetro 1
Voltmetro 2
Un
1,5 V
15 V
C
0,1 V
1 V
R
15000 1
150000 1
Costr.
SEB
SEB
Classe
0,5
0,5
N.2 Tester
N.2 Voltmetri
N.1 Bread Board
N.1 Resistenza 1KN
N.1 Transistor BC 547
N.1 Alimentatore Duale
PROCEDIMENTO:
Il componente posto ad esame è il transistor (transfer resistor) di tipo BJT (bipolar junction transistor). Questo è un dispositivo (al silicio o germanio) costituito da semiconduttori estrinseci p e n, i quali formano due giunzioni pn (base-emettitore e base-collettore) collegate in modo da costituire o una sequenza pnp o una npn (come in questo caso). Per avere un corretto funzionamento del transistor vi devono essere particolari condizioni tra cui una base molto sottile nell’ordine dei m e meno drogata rispetto a quella dell’emettitore e collettore; si distinguono quindi tre connettori: base, emettitore e collettore. La conduzione nei transistor npn è dovuta al moto degli elettroni liberi e presenta una tensione VCE diretta dall’emettitore al collettore. Il transistor BJT è in grado di trasferire una variazione di corrente da una resistenza bassa ad una di valore più elevato (in particolari condizioni di funzionamento), ricavandone un’amplificazione di tensione. Il circuito analizzato risulta a emettitore comune (common emitter: CE) e si possono individuare due circuiti distinti; IN entrata (VBE e IB) e OUT uscita (VCE e IC). Per il rilievo delle misure si è collegato un tester (in funzione di amperometro) in serie ad A1 (Alimentatore variabile) e un voltmetro in parallelo (quindi a valle perché vi saranno misurazioni di R basse) inseguito vi è il transistor posto ad emettitore comune quindi un tester (in funzione di amperometro per il circuito d’uscita) e l’altro voltmetro in parallelo agli altri morsetti dell’alimentatore variabile (A2).
MISURAZIONI EFFETTUATE:
Per le misurazioni del circuito d’entrata si è posto VBE come variabile indipendente (perché nel circuito risulta più facile variare la tensione) e quindi ID come variabile dipendente; nel circuito di uscita si dovrà avere quindi un valore fisso di VCE C 5 V. Nel circuito d’uscita, invece, si rilevano le misure di VCE e ICE per valori costanti di IB.
CIRCUITO IN: CIRCUITO OUT:
VBE
IB
0,10
5
0,15
9
0,20
12
0,25
16
0,30
19
0,35
22
0,40
25
0,45
29
0,50
32
0,55
36
0,60
41
0,65
55
0,70
235
0,75
1775
V
A

GRAFICI CARATTERISTICI:

CONCLUSIONI E CONSIDERAZIONI:
In entrambi i circuiti si possono visualizzare le caratteristiche tramite i propri grafici; nel circuito d’entrata la funzionalità è minimamente influenzata dal circuito di uscita e la caratteristica d’ingresso è molto simile a quella di un diodo al silicio, che presenta una tensione di soglia Vγγ0,5 V; il circuito d’uscita, invece, è enormemente influenzato dal circuito d’entrata, e presenta un grafico costituito da una famiglia di curve in cui IC cresce lentamente all’aumentare di VCE e per valori di VCE molto bassi 2V si osserva che le caratteristiche sono meno distinguibili, perciò il transistor viene detto in zona di saturazione.
I
– Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche –

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